CY7C1565KV18-550BZXC

CY7C1565KV18-550BZXC 72-Mbit QDR® II+ SRAM ఫోర్-వర్డ్ బర్స్ట్ ఆర్కిటెక్చర్ (2.5 సైకిల్ రీడ్ లాటెన్సీ) సైప్రస్ ఎలక్ట్రానిక్ భాగాల. CY7C1565KV18-550BZXC అనేది రీడ్ పోర్ట్ మరియు రైట్ పోర్ట్‌తో కూడిన సింక్రోనస్ పైప్‌లైన్డ్ బర్స్ట్ SRAM. రీడ్ పోర్ట్ కార్యకలాపాలను చదవడానికి అంకితం చేయబడింది మరియు రైట్ పోర్ట్ కార్యకలాపాలను వ్రాయడానికి అంకితం చేయబడింది.

డేటా రైట్ పోర్ట్ ద్వారా SRAM లోకి ప్రవహిస్తుంది మరియు రీడ్ పోర్ట్ ద్వారా బయటకు ప్రవహిస్తుంది. ఈ పరికరాలు అవసరమైన చిరునామా పిన్‌ల సంఖ్యను తగ్గించడానికి చిరునామా ఇన్‌పుట్‌లను మల్టీప్లెక్స్ చేస్తాయి. విడిగా చదవడం మరియు వ్రాయడం పోర్ట్‌లను కలిగి ఉండటం ద్వారా, QDR II+ డేటా బస్‌ను "టర్న్‌రౌండ్" చేయవలసిన అవసరాన్ని పూర్తిగా తొలగిస్తుంది మరియు ఏదైనా సాధ్యమైన డేటా వివాదాన్ని నివారిస్తుంది, తద్వారా సిస్టమ్ రూపకల్పనను సులభతరం చేస్తుంది. ప్రతి యాక్సెస్ CY7C1565KV18-550BZXC విషయంలో రెండు క్లాక్ సైకిల్స్‌లో నాలుగు 36-బిట్ డేటా బదిలీలను కలిగి ఉంటుంది.

ఉత్పత్తి లక్షణాలు

టైప్ చేయండి	ప్రధాన ఉత్పత్తి లక్షణాలు
CY7C1565KV18-550BZXC	స్వతంత్రంగా చదవడం మరియు వ్రాయడం డేటా పోర్ట్‌లను వేరు చేయండి
	అధిక బ్యాండ్‌విడ్త్ కోసం 550-MHz గడియారం
	అడ్రస్ బస్ ఫ్రీక్వెన్సీని తగ్గించడం కోసం నాలుగు పదాల బరస్ట్
	2.5-క్లాక్ సైకిల్ లేటెన్సీలో అందుబాటులో ఉంటుంది

ఉత్పత్తి వివరణ

CY7C1565KV18 అనేది 1.8-V సింక్రోనస్ పైప్‌లైన్డ్ SRAM, QDR II+ ఆర్కిటెక్చర్‌తో అమర్చబడింది. QDR II ఆర్కిటెక్చర్ లాగానే, QDR II+ ఆర్కిటెక్చర్ రెండు వేర్వేరు పోర్ట్‌లను కలిగి ఉంటుంది: మెమరీ శ్రేణిని యాక్సెస్ చేయడానికి రీడ్ పోర్ట్ మరియు రైట్ పోర్ట్. రీడ్ పోర్ట్ రీడ్ ఆపరేషన్‌లకు మద్దతివ్వడానికి డెడికేటెడ్ డేటా అవుట్‌పుట్‌లను కలిగి ఉంది మరియు రైట్ పోర్ట్ రైట్ ఆపరేషన్‌లకు మద్దతు ఇవ్వడానికి డేటా ఇన్‌పుట్‌లను అంకితం చేసింది.

పోర్ట్ ఎంపికలతో లోతు విస్తరణ సాధించబడుతుంది, ఇది ప్రతి పోర్ట్ స్వతంత్రంగా పనిచేయడానికి వీలు కల్పిస్తుంది. అన్ని సింక్రోనస్ ఇన్‌పుట్‌లు K లేదా K ఇన్‌పుట్ క్లాక్‌లచే నియంత్రించబడే ఇన్‌పుట్ రిజిస్టర్‌ల ద్వారా వెళతాయి. అన్ని డేటా అవుట్‌పుట్‌లు K లేదా K ఇన్‌పుట్ క్లాక్‌లచే నియంత్రించబడే అవుట్‌పుట్ రిజిస్టర్‌ల ద్వారా వెళతాయి. వ్రాతలు ఆన్-చిప్ సింక్రోనస్ సెల్ఫ్-టైమ్డ్ రైట్ సర్క్యూట్రీతో నిర్వహించబడతాయి.